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Q3旺季需求及上游严控出货，NAND Flash缺货缺定了！

NAND Flash第三季缺货缺定了！由于上游芯片原厂持续调拨产能生产3D NAND，但良率提升不如预期，不仅导致3D NAND新产能无法大量开出，也压抑2D NAND的实际产出。

第三季需求旺季到来，加上市场传出上游原厂将自7月起严控出货，缺货疑虑再度推升NAND Flash价格走扬，第二季以来NAND Flash晶圆售价涨幅已达15～20%。

今年上半年上游NAND Flash原厂均全力投入3D NAND的制程及生产线转换，但因投产初期只有三星的良率好，其它业者良率拉升情况不如预期，整体3D NAND的出货量相对有限。

同时，因为上游原厂主要是移转2D NAND产线去生产3D NAND，此一动作也造成2D NAND的市场供给量持续降低。

以三星为例，今年除了将2D NAND主流制程由16纳米切换到14纳米，还将韩国华城Fab 16的16纳米2D NAND产能转换为20纳米48层3D NAND，今年第二季正是制程及产能转换期。

至于第二大厂东芝及第三大厂闪迪阵营，上半年同样处于48层3D NAND的转换期，为了维持稳定获利，低于成本的NAND Flash基本上不再出货。

整体来看，三星、东芝等上游原厂在上半年因制程及产能切换原因，3D NAND产出成长幅度有限，但2D NAND供给量已降低。

由于下半年进入传统旺季，不仅消耗量大的固态硬盘（SSD）出货量持续创新高，苹果将iPhone 7容量拉高一倍，最高容量将达256GB，并包下三星及东芝的多数产能，也让市场供给量愈趋吃紧。

事实上，三星及东芝已在5月通知客户涨价。三星14/16纳米NAND Flash晶圆价格已接近1.2～1.3美元，与3月相较调涨20%左右。东芝15纳米NAND Flash晶圆5月报价已逾1.2美元，较3月涨幅达16%。

由于上游原厂在7月仍无法足额供货，并持续对客户调涨价格，包括模组厂及渠道商预估，价格将持续走高，第三季晶圆价格与3月相较涨幅将逾25%以上。

法人表示，NAND Flash晶圆涨价效应持续扩散，不仅芯片价格续涨，记忆卡、U盘、eMMC/eMCP等价格也看涨，6月中之后涨幅还将扩大。